Ученые из НИУ «МИЭТ» совместно с коллегами из Италии и Германии предложили новую технологию получения двумерного теллурида галлия – важного материала передовой электроники. Об этом пишет РИА Новости.
Фото: пресс-служба НИУ МИЭТ
Будущее современной электроники напрямую связано с созданием новых материалов и их интеграцией в технологии производства чипов. По словам специалистов, сегодня большой интерес вызывают так называемые двумерные (2D) материалы, обладающие уникальными свойствами. Материалы этого класса имеют слоистую структуру, в пределах отдельного слоя атомы связаны жесткими ковалентными связями, а слои между собой – слабыми межмолекулярными связями Ван-дер-Ваальса.
Специалисты отмечают, что контролируемое создание таких структур на стандартных полупроводниковых подложках связано со множеством проблем. Наиболее важная из них — дефекты на стыке формируемого материала и подложки, вызванные структурными несоответствиями между кристаллическими решетками. Такие дефекты сильно снижают эффективность 2D-материалов и негативно влияют на их структуру.
Команде специалистов НИУ «МИЭТ» и их зарубежным коллегам удалось решить эту проблему, предложив новый метод выращивания 2D-кристаллов теллурида галлия на кремниевой подложке. По словам ученых, разработка позволяет интегрировать это соединение с востребованными нелинейно-оптическими свойствами в уже существующую технологию изготовления чипов. Применение такого материала в электронике позволит разработать новые фотодетекторы, элементы для солнечной энергетики или для дисплеев нового поколения.
